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半导体参数测试仪产品列表
相关厂商: 北无仪  美国IST  三航 
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  • BJ2900A截止电流反向击穿电压测试仪
    200nA 0—199.9nA 0.1nA ±3%满度值±4个字
  • BJ2923晶体管测试仪
    报价:面议
    电流源Icc0-2A70--2uA0nAIbb0--500mA70--200nA100PA
  • BJ2948闸流晶体管参数测试仪
    可测试VGT,IGT,IH,VT(av),IT(av)VTM,ITM及断态反向等共17个参数
  • BJ2922A场效应管测试仪
    可测gm,Vp,Idss
  • BJ2912B稳压二极管测试仪
    可测量IN746~IN986系列,2CW,2DW,系列
  • BJ2961A智能化晶体管开关参数测试仪
    测量范围:由5nS至500 nS.
  • BJ2962二极管反向恢复时间测试仪
    频率:20KHZ 误差:正负5%
  • BJ2983三极管正偏二次击穿测试仪
    测试功率:0~750W(100V,5A或300V,2.5V)
  • BJ2984三极管瞬态热阻测试仪
    测量对被测管施加1ms~1s的单次功率脉冲前后Vbe的变化
  • BJ2986晶体管直流脉冲开关安全工作区测试仪
    检测计量晶体管在规定条件下的直流
  • BJ2989MOS场效应管瞬态热阻测试仪
    可测试0—750WN沟道及P沟道大功率MOS场效应管的瞬态热阻
  • BJ2990MOS场效应管测试仪
    可测试N沟道及P沟道大功率MOS场效应管的VGS(th)、RDS(on)及ID为0—10A时的跨导gm等主要技术参数
  • JS-2D晶体管反向截止电流测试仪
    反向截止电流ICEO、ICBO、IEBO、ICES、ICER、ICEX测量范围及误差
  • JS-2G二极管反向漏电流测义
    测试二极管及任何二端器件
  • FT高频小功率晶体管ft测试仪
    100-1000MHz200-2000MHz10-100MHz30-300MHz400-4000MHz
  • IST8800美国分立半导体器件综合测试仪
    可用于对晶体三极管,二极管,齐纳二极管
  • IST8800IST8800综合测试仪
    可测J MOS型场效应管.三极管.二极管.齐纳管.
  • ICT2900半导体分立器件测试仪
    30 pA 漏电流测量分辨率
  • HB2931B可控硅综合参数测试仪
    通态峰值电压VTM测量范围:0~5V 误差≤+5%;通态峰值电流ITM测量范围:0~20A 误差≤+5%;
  • shtek3400场效应管综合参数测试仪
    本仪器为测试场效应管综合参数的测试仪,可测BVdss 、Vgs(th)、Igss、Idss、Id(on)、Rds、Gfs场效应管静态参数
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