200nA 0—199.9nA 0.1nA ±3%满度值±4个字

电流源Icc0-2A70--2uA0nAIbb0--500mA70--200nA100PA

可测试VGT,IGT,IH,VT(av),IT(av)VTM,ITM及断态反向等共17个参数

可测gm,Vp，Idss

可测量IN746~IN986系列，2CW，2DW，系列

测量范围：由5nS至500 nS.

频率：20KHZ 误差：正负5%

测试功率：0~750W（100V，5A或300V，2.5V)

测量对被测管施加1ms~1s的单次功率脉冲前后Vbe的变化

检测计量晶体管在规定条件下的直流

可测试0—750WN沟道及P沟道大功率MOS场效应管的瞬态热阻

可测试N沟道及P沟道大功率MOS场效应管的VGS(th)、RDS(on)及ID为0—10A时的跨导gm等主要技术参数

反向截止电流ICEO、ICBO、IEBO、ICES、ICER、ICEX测量范围及误差

测试二极管及任何二端器件

100-1000MHz200-2000MHz10-100MHz30-300MHz400-4000MHz

可用于对晶体三极管，二极管，齐纳二极管

可测J MOS型场效应管.三极管.二极管.齐纳管.

全功率：毫瓦(mW)～千瓦(kW)级;大电流：50A/4800A（MAX）;高电压：2500V/10000V（MAX）；20000V（定制）;多品种：12种半导体器件;多参数：137个测试参数;

全功率：毫瓦(mW)～千瓦(kW)级;大电流：50A/4800A（MAX）;高电压：2500V/10000V（MAX）；20000V（定制）;多品种：12种半导体器件;多参数：137个测试参数;

通态峰值电压VTM测量范围:0~5V 误差≤+5%;通态峰值电流ITM测量范围:0~20A 误差≤+5%;